ISSI芯成SRAM存儲(chǔ)器72Mb 2Mx32 IS61LPS204832B

2017-07-07 15:24:39

IS61LPS204832B 是一款容量72MB 位數(shù)32位，具有高速，低功耗同步靜態(tài)RAM設(shè)計(jì)，

IS61LPS204832B用于通信和網(wǎng)絡(luò)的高性能SRAM內(nèi)存,先進(jìn)的CMOS技術(shù)，器件集成了一個(gè)2位突發(fā)計(jì)數(shù)器，高速SRAM內(nèi)核和highdrive,能力輸出到單個(gè)單片電路,同步輸入通過(guò)寄存器控制,一個(gè)正邊沿觸發(fā)的單時(shí)鐘輸入。

特征

•內(nèi)部自定時(shí)寫(xiě)周期

•單字節(jié)寫(xiě)入控制和全局寫(xiě)入

•時(shí)鐘控制，注冊(cè)地址，數(shù)據(jù)和

控制

•使用MODE輸入進(jìn)行突發(fā)序列控制

•三芯片使能選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的深度擴(kuò)展

并處理流水線

•通用數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出

•取消選擇時(shí)自動(dòng)關(guān)機(jī)

•單周期取消選擇

•休眠模式，用于低功耗待機(jī)

•用于PBGA封裝的JTAG邊界掃描

• 電源

LPS：Vdd 3.3V（+ 5％），Vddq 3.3V / 2.5V（+ 5％）

VPS：Vdd 2.5V（+ 5％），Vddq 2.5V（+ 5％）

VVPS：Vdd 1.8V（+ 5％），Vddq 1.8V（+ 5％）

•JEDEC 100引腳TQFP，119球PBGA和

165球PBGA封裝

•無(wú)鉛可用

同類(lèi)型號(hào)參考

Density	org.	Part Number	Vcc	VccQ	Speed(Mhz)	tKQ(ns)	Pkg(Pins)
72Mb	2Mx32	IS61LPS204832B	3.3V	2.5/3.3V	200	3.1	QFP(100)
72Mb	2Mx16	IS61LPS204836B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61LPS409618B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VPS204836B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61VPS409618B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VVPS204836B	1.8V	1.8V	166	3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61VVPS409618B	1.8V	1.8V	166	3.5	IS61VVPS409618B
72Mb	2Mx36	IS61VVF204818B	3.3V	2.5/3.3V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61LF409618B	3.3V	2.5/3.3V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VF204836B	2.5V	2.5V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61VF409618B	2.5V	2.5V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VVF204836B	1.8V	1.8V	117	7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61VVF409618B	1.8V	1.8V	117	7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NLP204836B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61NLP409618B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NVP204836B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	4Mx18	IS61NVP409618B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS61NVVP204836B	1.8V	1.8V	250,200 ,166	2.6,3.1	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	4Mx8	IS61NVVP409618B	1.8V	1.8V	250,200,166	2.6,3.1	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NVF204836B	2.5V	2.5V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61NVF409618B	2.5V	2.5V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS61NVVF204836B	1.8V	1.8V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61NVVF409618B	1.8V	1.8V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS64LPS204836B	3.3V	2.5/3.3V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	4Mx18	IS64LPS409618B	3.3V	2.5/3.3V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	2Mx36	IS64VPS204836B	2.5V	2.5V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	4Mx8	IS64VPS409618B	2.5V	2.5V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)

性?xún)r(jià)比更優(yōu)的產(chǎn)品型號(hào)參考

Density	Org.	Part number	Operating	VDD(V)	tCYC	Access Time	Burst	Clock	Package
72Mb	2Mx36	S7A643630M	SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7A641830M	SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7B643635M	FT	2.3~3.5v	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7B641835M	FT	2.3~3.5v	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7N643631M	NT_SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7N641831M	NT_SPB	2.3~3.5V	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7M643635M	NT_FT	2.3~3.5V	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7M641835M	NT_FT	2.3~3.5V	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7S6436T4M	QDR II+	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418T4M	QDR II+	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436T2M	QDR II+, ODT	1.8V	400,357,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418T2M	QDR II+, ODT	1.8V	400,357,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436T4M	QDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418T4M	QDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7R643682M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7R641882M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	8Mx9	S7R640982M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7R643684M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7R641884M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7S6436U2M	QDR II+	1.8V	450,400,366	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U2M	QDR II+	1.8V	450,400,366	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7S6436U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436U4M	QDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418U4M	QDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7I643682M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7I641882M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7I643684M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7I641884M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7J643682M	DDR II, SIO	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7J641882M	DDR II, SIO	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7K6436T2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7K6418T2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7K6436U2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7K6418U2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7L6436T2M	DDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	2	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7L6418T2M	DDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	2	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7L6436U2M	DDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7L6418U2M	DDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

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2017-07-07 15:24:39

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